Superwydajny SSD
13 sierpnia 2014, 11:30Podczas Flash Memory Summit 2014 należąca do Western Digital firma HGST zaprezentowała najbardziej wydajny dysk SSD. Urządzenie podłączone do interfejsu PCIe wykonuje 3 miliony operacji wejścia-wyjścia na sekundę (IOPS). Pracuje zatem wielokrotnie szybciej niż SSD dostępne na rynku
Poważne dziury w Windows 7 i Mac OS X
9 czerwca 2010, 14:56W przyszłym miesiącu, podczas konferencji Hack in the Box dwóch badaczy, Christophe Devine i Damien Aumaitre, chce ujawnić poważny błąd projektowy w Windows 7 i Mac OS X. Specjaliści znaleźli go w mechanizmie Direct Memory Access. Pozwala on na ominięcie wszystkich zabezpieczeń systemu.
Dziesiątki miliardów USD w rozwój przemysłu półprzewodnikowego
5 marca 2018, 11:09Chiński rząd chce powołać nowy fundusz, którego zadaniem będzie finansowanie rozwoju krajowego przemysłu półprzewodnikowego. China Integrated Circuit Investment Fund Co. (CICIF) dostanie do dyspozycji 200 miliardów juanów, czyli 31,5 miliarda USD
Oficjalny debiut Santa Rosy
10 maja 2007, 09:29Oficjalnie zadebiutowała Santa Rosa – czwarte już wcielenie intelowskiej platformy Centrino dla komputerów przenośnych. Pierwsza wersja Centrino trafiła na rynek przed 4 laty.
Elpida chce zbankrutować
27 lutego 2012, 12:08Elpida Memory, trzeci co do wielkości producent układów DRAM, złożył w tokijskim sądzie wniosek o upadłość. Zadłużenie firmy sięgnęło 5,5 miliarda dolarów.
Zdigitalizowane zdjęcia 2 przyjaciółek dają wgląd w przebieg wykopalisk w Sutton Hoo
30 września 2021, 11:26National Trust poinformował o ukończeniu digitalizacji pełnej kolekcji zdjęć przyjaciółek, Mercie Lack i Barbary Wagstaff, dokumentujących wykopaliska w Sutton Hoo. W przededniu II wojny światowej odkryto tam anglosaski grób królewski.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Materiał z pamięcią kształtu do odtwarzania twarzoczaszki
13 sierpnia 2014, 12:44Zespół dr Melissy Grunlan z Texas A&M University uzyskał polimer z pamięcią kształtu (ang. shape-memory polymer, SMP), który będzie można wykorzystać do rekonstrukcji twarzoczaszki.
Wspólne pamięci zmiennofazowe Intela i ST
10 czerwca 2006, 19:27Intel i STMicroelectronics NV ogłosiły, że połączą swoje siły w pracach nad pamięciami zmiennofazowymi. Tego typu nieulotne rodzaje pamięci mają w przyszłości zastąpić wykorzystywane obecnie układy typu flash.
Zbudują fabrykę memrystorów
1 września 2010, 16:04HP poinformowało o podpisaniu porozumienia z koreańską firmą Hynix Semiconductor, które przewiduje budowę fabryki memrystorów. Zakład ma rozpocząć produkcję w 2013 roku.
